GEFRAN压力传感器ME0-6-H-P05M-1-4-0

   高温压力传感器由硅膜片、衬底、下电极和绝缘层构成。其中下电极位于厚支撑的衬底上。电极上蒸镀一层绝缘层。硅膜片则是利用各向异性腐蚀技术，在一片硅片上从正反面腐蚀形成的。上下电极的间隙由硅片的腐蚀深度决定。硅膜片和衬底利用键合技术键合在一起，形成具有一定稳定性的硅膜片电容压力传感器。

  高温压力传感器是为了解决在高温环境下对各种气体、液体的压力进行测量。主要用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力、井下压力和各种发动机腔体内的压力、高温油品液位与检测、油井测压等领域。目前，研究比较多的高温压力传感器主要有SOS，SOI，SiO2，Poly2Si等半导体传感器，还有溅射合金薄膜高温压力传感器、高温光纤压力传感器和高温电容式压力传感器等。半导体电容式压力传感器相比压阻式压力传感器其灵敏度高、温度稳定性好、功耗小

GEFRAN压力传感器ME0-6-H-P05M-1-4-0

产品特性
1.传感器：能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用输出信号的器件或装置。通常有敏感元件和转换元件组成。
①敏感元件是指传感器中能直接（或响应）被测量的部分。
②转换元件指传感器中能较敏感元件感受（或响应）的北侧量转换成是与传输和（或）测量的电信号部分。
③当输出为规定的标准信号时，则称为变送器。
2. 测量范围：在允许误差限内被测量值的范围。
3. 量程：测量范围上限值和下限值的代数差。
4. 度：被测量的测量结果与真值间的一致程度。
5. 重复性：在所有下述条件下，对同一被测的量进行多次连续测量所得结果之间的符合程度：
6. 分辨力：传感器在规定测量范围圆可能检测出的被测量的zui小变化量。
7. 阈值：能使传感器输出端产生可测变化量的被测量的zui小变化量。
8. 零位：使输出的值为zui小的状态，例如平衡状态。
9. 激励：为使传感器正常工作而施加的外部能量（电压或电流）。
10. zui大激励：在市内条件下，能够施加到传感器上的激励电压或电流的zui大值。

GEFRAN压力传感器ME0-6-H-P05M-1-4-0

 LT-M-0225-P,LT-M-0275-P,LT-M-300-P,LT-M-0375-P,LT-M-0400-P,LT-M-0450-P
LT-M-0500-P,LT-M-0600-P,LT-M-0750-P,LT-M-0900-P,LT-M-050-S,LT-M-0100-S
LT-M-0130-S,LT-M-0150-S,LT-M-0175-S,LT-M-0200-S,LT-M-0225-S,LT-M-0275-S
LT-M-300-S,LT-M-0375-S,LT-M-0400-S,LT-M-0450-S,LT-M-0500-S,LT-M-0600-S
LT-M-0750-P,LT-M-0900-S
TR-N1C-C35-1 TR-N1C-C40-1 TR-N1C-P30-1 TR-N1C-C35-2 TR-N1C-C40-2
TR-N1C-P30-2 TR-N1C-C35-3 TR-N1C-C40-3 TR-N1C-P30-3 TR-N2C-C35-1
TR-N2C-C40-1 TR-N2C-P30-1 TR-N2C-C35-2 TR-N2C-C40-2 TR-N2C-P30-2
TR-N2C-C35-3 TR-N2C-C40-3 TR-N2C-P30-3 TR-N3.5C-C35-1 TR-N3.
5C-C40-1 TR-N3.5C-P30-1 TR-N3.5C-C35-2 TR-N3.5C-C40-2 TR-N3.
5C-P30-2 TR-N3.5C-C35-3 TR-N3.5C-C40-3 TR-N3.5C-P30-3 TR-N5C-C35-1
TR-N5C-C40-1 TR-N5C-P30-1 TR-N5C-C35-2 TR-N5C-C40-2
TR-N5C-P30-2 TR-N5C-C35-3 TR-N5C-C40-3 TR-N5C-P30-3
TR-N7.5C-C35-1 TR-N7.5C-C40-1 TR-N7.5C-P30-1 TR-N7.5C-C35-2
TR-N7.5C-C40-2 TR-N7.5C-P30-2 TR-N7.5C-C35-3 TR-N7.5C-C40-3
TR-N7.5C-P30-3 TR-N1M-C35-1 TR-N1M-C40-1 TR-N1M-P30-1
TR-N1M-C35-2 TR-N1M-C40-2 TR-N1M-P30-2 TR-N1M-C35-3